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トリメチルガリウム(TMGまたはTMGaと略されることが多い)は、化学式Ga(CH3)3で表される有機ガリウム化合物です。この化合物は無色の自然発火性液体であり、トリメチルアルミニウムとは対照的にモノマー構造を示します。
トリメチルガリウムは、光電子デバイスや太陽電池パネルの製造に用いられるガリウム含有化合物半導体の合成に不可欠なプロセスである有機金属気相成長法 (MOVPE) において、広く利用されているガリウムの有機金属源として機能します。
トリメチルガリウム
同義語 | トリメチルガラン、トリメタニドガリウム、ガリウム、トリメチル-EINECS 215-897-6 |
CAS番号 | 1445-79-0 |
化学式 | Ga(CH3)3 |
モル質量 | 114.827グラム/モル |
外観 | 無色の液体 |
融点 | −15℃(5℉; 258K) |
沸点 | 55.7℃(132.3℉; 328.8K) |
水への溶解度 | 水と反応する |
トリメチルガリウム(TMG) 無色透明の自然発火性液体で、空気に触れると自然発火します。TMGは、水や不安定な水素(すなわち活性水素)(すなわち陽子)を放出する可能性のある他の化合物と激しく反応することが知られています。
TMGは細心の注意を払って取り扱う必要があります。不活性雰囲気下、0~25℃の涼しく乾燥した場所に保管してください。劣化を防ぐため、保管温度は40℃を超えないようにしてください。
99.99995%トリメチルガリウム - 低シリコン含有量(6N5 TMGa-Low Si)のエンタープライズ仕様
要素 | 結果 | 仕様 | 要素 | 結果 | 仕様 | 要素 | 結果 | 仕様 |
Ag | ND | <0.03 | Co | ND | <0.02 | Pb | ND | <0.03 |
Al | ND | <0.03 | Cr | ND | <0.02 | S | ND | <0.05 |
As | ND | <0.03 | Cu | ND | <0.02 | Sb | ND | <0.05 |
Au | ND | <0.02 | Fe | ND | <0.04 | Si | ND | <0.02 |
B | ND | <0.03 | Ge | ND | <0.05 | Sn | ND | <0.05 |
Ba | ND | <0.02 | Hg | ND | <0.03 | Sr | ND | <0.03 |
Be | ND | <0.02 | La | ND | <0.02 | Ti | ND | <0.05 |
Bi | ND | <0.03 | Mg | ND | <0.02 | V | ND | <0.03 |
Ca | ND | <0.03 | Mn | ND | <0.03 | Zn | ND | <0.03 |
Cd | ND | <0.02 | Ni | ND | <0.03 |
注記:
上記の値は金属重量当たりのppmであり、ND=検出されない
分析方法:ICP-MS
FT-NMR測定結果(FT-NMR有機不純物および酸素化不純物の検出限界は0.1ppm)
酸素保証 <0.5ppm(FT-NMRで測定)
1.有機不純物は検出されません
2.酸素化不純物は検出されない
トリメチルガリウムは何に使用されますか?
トリメチルガリウム(Ga(CH3)₃)は、TMGまたはTMGaと略され、GaAs、GaN、GaP、GaSb、InGaAs、InGaN、AlGaInP、InGaP、AlInGaNP、Ga2O3などを含むガリウム含有化合物半導体の合成における有機金属気相成長法(MOVPE)プロセスにおいて推奨されるガリウムの有機金属源です。これらの有機金属源は、以下のような様々なガリウム含有化合物半導体の製造に利用されています。
- ガリウムヒ素 (GaAs) は、宇宙用途や窒化ガリウム (GaN) をベースにした青色発光ダイオード (LED) の材料として広く使用されています。
- 光電子デバイスの製造において重要な役割を果たしているリン化ガリウム (GaP) とアンチモン化ガリウム (GaSb)。
高効率太陽電池パネルの製造に使用される銅インジウムガリウム硫化物(CIGS)と銅インジウムガリウムセレン化物。
さらに、TMG は、マイクロエレクトロニクスや高速デバイス アプリケーションに不可欠なコンポーネントである GaAs、GaN、GaP 薄膜などのガリウムベースの半導体材料の薄膜の製造にも使用されます。